格格党

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第640章 碳基芯片（第1页）

坐在周政左手边的一个年轻女研究员开口了。

短头发，说话很快。

碳管阵列生长工艺负责人，林恩恩。

“打个比方。

硅基晶体管的电子跑起来像在泥地里走路，碳管里的电子像在冰面上滑。

同样的距离，一个喘得要死，一个根本没出汗。”

方墨在角落里轻声嘀咕了一句：“冰面上打冰壶。”

林恩恩看了他一眼，没理。

“载流子饱和速度四乘十的七次方厘米每秒，硅的四倍。”

周政切到下一页，“更关键的是，碳管的一维超薄体结构天然压制短沟道效应。

硅基芯片缩到三纳米以下，量子隧穿漏电堵都堵不住，得靠GAA环栅、背面供电这些复杂架构去兜。

碳管不用。

物理结构本身就是答案。”

“所以我们在七纳米节点，用的是最简单的平面顶栅结构。”

陈阳问：“器件架构说一下。”

周政右手边的人接过话。

瘦高个，四十出头，左手无名指缠着创可贴——大概是调试设备时划的。

器件架构与集成负责人，陈锋。

跟陈阳同姓，但没有亲戚关系。

“无掺杂CMOS。”

陈锋把投影切到器件截面图，“硅基芯片造P型和N型晶体管，得靠离子注入往硅里面砸掺杂原子。

温度上千度，而且砸进去的原子分布不均匀，直接影响器件一致性。”

“我们不掺杂。

P型管用钯做源漏电极，N型管用钪。

金属功函数不一样，电子注入行为不一样，晶体管极性就分开了。”

他翻到下一张图，是一组对比数据。

“免掺杂带来两个好处。

第一，没有离子注入造成的晶格损伤，器件寿命延长三倍以上。

第二，阈值电压一致性提升一个数量级。

直接反映在良率上——我们首批试产的良率是百分之九十二点三。”

苏清妍的笔停了一下，抬头看了陈阳一眼。

百分之九十二点三。

台积电三纳米工艺刚量产时的良率不到百分之八十。