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第336章 淬火之刃（第3页）

首先是总剂量辐照（tid），芯片在钴-60源持续的伽马射线照射下，模拟在轨数年累积的辐射损伤。

测试人员小心翼翼地定时取出，测量其参数漂移。

指标在缓慢劣化，但始终未超出设计冗余范围，tid试验过关。

接下来的单粒子效应（see）试验，才是真正的“鬼门关”

。

在专用的粒子加速器终端，芯片被高能重离子束流轰击，模拟宇宙射线中的高能粒子击中硅片可能引发的灾难。

王磊在研究院通过保密线路，焦虑地等待着每一次轰击后的结果反馈。

第一次，较低能量的离子束。

监测系统报告多个存储单元翻转，但纠错电路（e）成功工作，功能无损。

单粒子翻转（seu）截面符合预期，甚至略好。

第二次，提高能量。

除了更多seu，监测到电源端一个异常短暂的电流毛刺，随即消失。

“疑似单粒子瞬态（set），未引发后续问题。”

电话那头工程师汇报。

第三次，使用更高线性能量传输值（let）的重离子，模拟最恶劣的银河宇宙射线环境。

束流过后，短暂的寂静，然后电话里传来工程师急促的声音：“供电电流异常！

急剧上升！

保持高位！

是单粒子锁定（sel）！”

观察室（远程）和测试间里的空气瞬间凝固。

sel，os工艺在空间环境中的“癌症”

，一旦发生，芯片内部会形成低阻通路，电流暴增，若不能及时切断电源，瞬间过热烧毁是大概率事件。

王磊的心猛地一沉。

“执行紧急断电预案！”

测试负责人果断下令。

外部保护电路在毫秒级时间内切断了芯片电源。

几秒后，尝试重新上电。

第一次上电，无响应。

芯片如同死去。

第二次上电，延长复位脉冲宽度，依然沉默。

就在几乎要宣告失败时，负责测试的老工程师坚持再试一次，调整了上电时序。

漫长的、令人绝望的十几秒后，监控屏幕上，一个代表芯片核心逻辑启动的标志信号灯，微弱但顽强地闪烁了一下，继而稳定亮起！

“有响应了！

部分功能恢复！”

声音带着劫后余生的颤抖。

后续详细测试表明，芯片经历了一次严重的sel事件。

得益于版图设计时采用的深阱隔离和保护环等加固措施，以及最关键、最及时的外部系统断电保护，致命的电流烧毁被避免。