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缺陷工程（第3页）

沈默在记录本上写下：

碳源替换：CH4→C2H4C2H2

优点：裂解温度降低

缺点：迁移速度降低，多层风险增加

解决方案：？

他在问号后面停了一下，然后在旁边画了一个简单的示意图——衬底表面，碳原子在迁移，遇到缺陷位点就“钉扎”

住了。

钉扎。

他的笔尖顿住了。

如果碳原子在衬底表面的迁移速度太慢，容易形成多层，那解决方案有两种：一是提高温度，但这就回到了老问题；二是增加衬底表面的“成核位点”

，让碳原子一到衬底就马上成核，不需要长距离迁移。

成核位点——就是缺陷工程。

氧化铝衬底上本来就有天然的缺陷位点——氧空位、铝空位、台阶边缘。

如果能控制这些缺陷的密度和分布，就能在低温下实现单层石墨烯的快速生长。

这个思路——

沈默放下笔，靠在椅背上，心跳加速。

这个思路，系统和他说的是同一个方向，但他在系统的提示下，走得更深了。

如果这个思路可行，那就不只是850°C降到800°C的问题——可能直接降到700°C，甚至600°C。

产业化的大门，就彻底打开了。

他打开电脑，调出昨晚的数据，开始重新分析。

十分钟后，他停下了。

不是因为分析完了，而是因为他发现了一件让他头皮发麻的事。

昨晚的实验数据里，氧化铝衬底上的石墨烯样品，存在一种特殊的“取向”

——不是随机取向，而是沿特定晶格方向排列。

这说明碳原子在衬底表面的成核，是被某种“周期性结构”

引导的。

而这种周期性结构——

沈默把拉曼光谱的数据放大，盯着那个特征峰的位置，手指在键盘上悬了很久。

这种结构，他在文献里见过一次，是两年前《先进材料》上的一篇论文，讲的是“衬底晶格诱导的石墨烯取向生长”

。

那篇论文的作者是海外的一个顶尖团队，用的是单晶镍衬底，生长温度1000°C以上。

而他用的是多晶氧化铝衬底，生长温度850°C。

多晶衬底的晶格排列是不规则的，不可能产生周期性的诱导效应。

除非——

除非氧化铝镀膜的过程中，形成了一种他目前还不知道的“有序结构”

。

他拿起电话，拨了一个号码。

响了三声，接通。