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第51章 做不出硅晶体管就别过年了（第2页）

，在电路设计的时候就必须把低于多少多少毫安的电流忽略掉才行。

同时，锗晶体管还比较娇贵，它的工作温度区间只能限制在070摄氏度之间，用在一般的商业计算机上是没问题的，作为军用就有些问题了。

对了，说的就是美国。

美国空军给B52配置了贝尔实验室的TRADIC天价机载计算机，装上飞机不久就发现这货当飞机升到1万米的时候经常失灵，这就是超高空温度降到0摄氏度以下的缘故。

发现失灵现象的时候是54年9月，这会儿美国空军刚给TRADIC打完补丁：在TRADIC的机箱外面加电暖器。

更热闹的还是等明年吧，明年美国空军计划用装备TRADIC的B52做空投核弹试验。

回到黄昆的研究上。

这将近两年的时间，黄昆取得的成果是没有成果。

“黄教授，啊，其实也没什么事，我就是告知一下，从53年3月到54年11月，集团往你们半导体实验室的投资已经达到了30万元人民币。

是的，这只包含设备购置的投资，人员工资还不包括在内。”

催命电话不是上电集团的总经理打来的，是秘书。

秘书的意思就是，你们半导体实验室得拿出点成果了。

黄昆挂掉电话，叹了口气，年关难过啊。

半导体实验室现在还没拿出成品的硅晶体管，更没有鼓捣出来可用于量产的硅晶体管工艺书。

黄昆的工作是从贝尔实验室的化学家加尔文？富勒的一篇论文开始的。

这篇1952年发表的论文阐述了一种将杂质掺入到半导体（包括硅和锗）晶体中的方法。

是通过将杂质暴露在含有所需掺杂剂的高温气体中并加压，使得硅或者锗单晶体中能够掺入杂质。

掺入杂质的硅或锗就会形成PN结。

加尔文？富勒还说，通过调整曝光的时间和温度，能够精确地控制引入的杂质的数量和它们的穿透深度，这种掺入杂质的方法精度达1微米甚至更小。

但是具体的工艺呢？加尔文？富勒没说。

这是论文，不是专利说明书。

至于专利说明书，好像贝尔实验室还没提交申请，可能是贝尔实验室想捂盘，也可能是加尔文？富勒只搞出了理论，而产品还没做出来。

（硅扩散的工艺技术正式发表是在1956年，由托马斯和塔尼巴恩撰写的贝尔系统技术期刊第35卷《扩散发射极和基极硅晶体管》）

当黄昆研究加尔文？富勒的论文时，差的还不仅仅是具体工艺细节。

实际上黄昆先和有色冶炼行业纠缠了半年。

基于进口产品仿制的电炉为了融化硅，得提高温度；冶炼出来的硅单质纯度四个9，好像不太够，又要求他们提高到五个9。

再然后，黄昆得自己设计一种实验器材或者工业设备，能容纳含有掺杂剂的高温气体并让高温气体接触硅板。

这个实验器材就在黄昆隔壁的实验室里，奇形怪状的一台大机器，虽然有一半零件是实验室成员自制的，但另一半的零件仍然花掉了3万块钱。

在1954年，黄昆做的工作和贝尔实验室的几个工程师其实差不多。

在贝尔实验室，加尔文？富勒的论文发表之后，贝尔实验室也花了很长时间来设计专用机器，全部就绪已经到了1954年1月。

在1月份，加尔文.富勒与皮尔森、达里尔？查平成功地将一层硼原子扩散到n型硅板中，形成了大面积的PN结。

再然后，加尔文？富勒把路走歪了。

他们发现光照在这块硅板上的时候，硅板竟然产生了电流，还挺强。

贝尔实验室另一组人赶紧把6块硅板组合起来，接通电路，放到太阳下，获得了185毫瓦的光伏功率。

于是在1954年4月，贝尔实验室宣布他们制成了世界第一种太阳能电池。