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第51章 做不出硅晶体管就别过年了（第3页）

至于晶体管，只在实验室里象征性地做出了一只样品，贝尔实验室期待未来出现更先进更廉价的加工方式，到那时候再量产晶体管。

（其实刚刚诞生头两年的硅晶体管价格是锗晶体管的数倍，但仍然有市场，因为美国的军用计算机需要）

1954年5月，德州仪器宣布他们解决了硅晶体管的制造工艺技术，贝尔实验室的领先地位被抢。

不只是贝尔实验室，黄昆这边也埋头在做硅晶体管，当他看到IRE大会上德州仪器公司代表上台吹逼的报道，也是眼前一黑。

糟了，自己不是世界第一了。

“黄教授！

您总算是来了！

！”

向中南矿冶求救，五天之后援兵终于到来。

当黄昆见到黄培云出现在火车车厢门口，赶紧迎上去。

现在他的这位本家兼前辈是半导体实验室唯一的希望。

“黄教授，您当年拯救过锗晶体管，今年也一定能拯救我们”

黄培云摇摇头：“这次我不是主力，后面这两位才是。

他们是我带的学生，都是研二。”

黄培云回到中南矿冶，就开实验室招学生搞半导体材料的研究。

带来的两个研究生何太平、孙严本科不是中南矿冶的，是武汉大学的（中南矿冶建校才3年），在实验室的诸多学生中表现最突出，而且研究的都是硅材料方向。

“这就是你们实验室吗？一看就很有熟悉的样子，”

何太平说，“我们实验室也是电炉，电炉，一天到晚热烘烘的。”

黄昆：“确实是热烘烘的，我们在尝试冶炼6个9的硅，电炉一直在不停地开着。

本来以为五个9应该够了，至少做出试验品是够了，可后来试制老是失败，我又退回去从头做理论计算，确定了就是因为硅不够纯才失败的，得继续提高纯度。”

黄培云：“这你们实验室可能确实是有色金属冶炼的基础底子略差。

其实这个时候应该用浮动区法生长的硅晶体。”

黄昆：“这我们真不会。”

黄培云：“浮动区生长是三几年英国人提出来的，虽然麻烦了一点，但咱们的设备修改修改还算可以达到。

就是个氧气比较讨厌，然后我发动半个系的学生动手，搭了个真空环境，后来就搞成了。”

黄昆：“得，看来我们实验室也要按你说的真空冶炼的模式改造电炉冶炼室了。”

黄培云：“真空冶炼设备改在还是年后再说吧。

你在电话里说年底得加紧搞出一个有效的技术成果，否则半导体实验室就有麻烦了。

年底肯定是完不成电炉改造的。

何太平，把包拿出来让小黄瞅瞅。”

何太平打开自己拖着来的皮箱，掏出一个严严实实包裹着的东西。

然后打开包裹。

“黄主任，这是，我们在中南矿冶实验室做出来的头一批浮动区法生长的硅晶体。

应该够你们做实验样本了吧。”